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双沟道mos管怎样测量(mosfet沟道)

导语:TF0227芯片:双N沟道MOS管驱动电路方案

MOS管,它既可以作为信号的开关来使用,也可以作为功率器件的驱动来使用。问题是,这两种不同的电路应用,工程师该如何去处理呢?

还有一个问题,MOS管按照类型区分,它是分为N沟道类型和P沟道类型。其中N沟道类型的MOS管,我们可以用来驱动小家电中的电机,常用的电路

N沟道MOS管驱动小电机

电路中的VCC电源电压为5V,MOS管的栅极直接通过一个电阻R3,连接到单片机的IO引脚,它的工作原理简单概括为

单片机的IO引脚,输出高电平,Q3的MOS管导通,电机转动;IO引脚输出低电平,Q3的MOS管关闭,电机不转。

单片机控制IO引脚高低电平的占空比,也就是改变PWM占空比,就能实现电机的简单调速功能。

只是,这样的一个MOS管应用电路,它也仅仅适合低功率的场合,也就是类似于把它作为信号的开关来使用。但若是用在大功率的电路场合,就需要工程师专门开发出MOS管的栅极驱动电路了,单片机的IO引脚就不再适合直接用来控制MOS管的栅极了。

这是为什么呢?不都是MOS管吗?难道控制它的开启和关闭,还需要分不同的电路场合来设计吗?

当然是需要的。

功率MOS管,工作在它身上的电压和电流,一般都是比较大的。以STF28N60DM2型号的MOS管为例

它的VDS电压可以承受650V,ID电流能达到21A。

STF28N60DM2型号MOS管参数

如果用这个大功率型号的MOS管,驱动一个大功率电机,或者是一个大功率灯泡,用刚刚原来的单片机IO引脚直接控制它的栅极电路,显然就不适合了。

因为我们可以看到,大功率的MOS管,它在电路中流过的ID电流大小,是与VGS之间的控制电压有关系的。

功率MOS管流过的ID电流与VGS电压关系图

VGS电压,如果直接连接到单片机的IO引脚,它的最大电压也就5V,按照STF28N60DM2型号的MOS管这个关系图,流过的ID电流最大也就是2.5A左右。

2.5A,这与它最大可以支持的电流21A,差距是非常大的。很明显,在5V电压驱动MOS管的栅极,它是没有完全导通的。

那这个问题,该如何解决呢?

01 TF022F芯片

TF0227芯片,作为一个MOS管的栅极驱动芯片,它就可以控制大功率MOS管的开启和关闭功能了。

TF0227芯片

它是一个SOIC-8封装的芯片,只有8个引脚。其中的2个引脚是NC,在电路中,工程师直接把它悬空就可以了。

TF0227芯片引脚图

另外的6个引脚,VCC引脚和COM引脚是芯片的电源引脚,电压工作范围在4.5V ~ 18V之间。

INA引脚和INB引脚,是逻辑信号的控制引脚,直接连接单片机的IO引脚;这两个引脚,分别控制OUTA引脚和OUTB引脚的输出。

工程师就是把TF0227芯片输出的OUTA引脚和OUTB引脚,控制两个功率MOS管的栅极,用来代替之前栅极驱动电路。

02 功率MOS管的驱动电路

看了这么多,是不是有点晕,感觉绕来绕去的,没关系,芯片哥把它的完整电路给出来,就直观了。

功率MOS管的驱动电路

双MOS管,一个驱动电机,一个驱动灯泡,电源电压都是36V,它的栅极是由TF0227芯片驱动的。

OUTA引脚控制Q1的MOS管,OUTB引脚控制Q2的MOS管。单片机的两个IO引脚,直接控制TF0227芯片的INA和INB引脚。

VCC的电压,芯片哥选择12V。

这是因为,查看STF28N60DM2型号的MOS管数据手册,发现如果栅极电压达到了12V,它的ID电流可以达到最大值21A,能实现完全的导通。

这样,工程师就可以像之前原来控制逻辑一样,INA和INB为高电平,电机转动,灯泡发光;INA和INB为低电平,电机不转,灯泡熄灭;

改变PWM的占空比,就能控制大功率的电机转速和灯泡的亮度了。

03 结尾

总结下来,小功率N沟道的MOS管,流过的电流不大,它的栅极可以直接由单片机的IO引脚控制;

大功率N沟道的MOS管,由于工作电流要求比较大,它的栅极驱动电流就需要另外设计了,比如选择专用的驱动芯片TF0227电路。

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